Модуль памяти OCZ OCZ2P10001GK

Модуль памяти OCZ OCZ2P10001GK

Главные особенности модуля памяти OCZ OCZ2P10001GK

DDR2 1000 (PC2 8000) DIMM 240-контактный, 2×512 Мб, 2.1 В, CL 5

Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ2P10001GK

Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 2 модуля по 512 Мб
Тип памяти: DDR2
Тактовая частота: 1000 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 8000 Мб/с
CAS Latency (CL): 5
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 15
Напряжение питания: 2.1 В
Радиатор: есть

Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.